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熱(rè)敏電(diàn)阻
熱(rè)敏電(diàn)阻是(shì)一(yī)種對(duì)熱(rèβ×)敏感的(de)半導體(tǐ)電(diàn)阻器(qì)，其電(diàn)εσ≠阻值随元件(jiàn)本身(shēn)溫度變化(★↔™huà)而變化(huà)。
負溫度系數(shù)→™♠©(NTC)熱(rè)敏電(diàn)阻
NTC熱(rè)敏電(diàn)阻是(shì)一(yī)種由錳、钴、鎳為(↑♠φwèi)主多(duō)種金(jīn)屬氧化(huà)物(wù↓∞)為(wèi)原料燒結而成的(de)陶瓷半導體(tǐ)Ω>感熱(rè)晶體(tǐ)，其零功率電(diàn)阻值随元件(jiσ♣βàn)本身(shēn)溫度升高(gāo)而下(xià)降。
零功率電(diàα ©n)阻(RT)
在一(yī)定溫度(T)下(xià)，熱(rè)敏電(dià¶∑ $n)阻所消耗的(de)功率極低(dī)時(shí)(若功率進一(ε§λyī)步下(xià)降，電(diàn)阻值變化(huà)率仍小(xiǎo)于0.1%)的(de)☆≠$↑直流電(diàn)阻值。
材料常數(shù)(B)
B值為(wèi)兩個(gè)特定環境溫度(取絕對(duì)溫度K)下(xià)按以下(x€↑ià)公式計(jì)算(suàn)所得(de)：
&nbs<φ↕p; &∞λ≠nbsp; B=Ln(R1/R2)/(1/T1-1/T2)
恭成科(kē)技(jì)的☆(de)B值是(shì)在T1=298.15K，T2=323.15K或358.✔15K下(xià)所得(de)。
一(yī)般B=2000～6000K，B值越大(dà)每1℃的(de)電(diàn)±♠☆®阻變化(huà)率也(yě)越大(dà)。
耗散₩系數(shù)(δ)
在一(yī)定環境溫度下(xià)，NTC熱(rè)敏電(diàn)阻通(☆₩→tōng)過自(zì)身(shēn)發熱(r₹₽è)使其溫度升高(gāo)1℃時(shí)所需要(✔∞yào)的(de)功率，通(tōng)常以mW/℃表示。¶±σ可(kě)由下(xià)面公式計(jì)算®↔∏←(suàn)：
δ←÷ = V×I/ (T-T0)
熱(rè)時(shí)間(jiα&ān)常數(shù)(τ)
在零功率條件(jiàn)下(xià)，當熱(rè)≈×敏電(diàn)阻的(de)環境溫度發生(shēng)急劇(jù)變化(huà)時(sh∑↑£í)，熱(rè)敏電(diàn)阻元件(jiàn)産生(shēng)最初溫度T0與最終溫©✘度T1兩者溫度差的(de)63.2%的(de)溫度變化(huà)所γ≠☆需要(yào)的(de)時(shí)間(jiān)，通(tβ$≤εōng)常以秒(miǎo)(S)表示。
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